隨著電子元器件的應(yīng)用，根據(jù)二極管的用途可以分為：整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管等。快恢復(fù)二極管是在常規(guī)的功率二極管基礎(chǔ)上，在器件設(shè)計(jì)與制作工藝上采用少子壽命控制技術(shù)等改善二極管的工作特性而得到。二極管結(jié)構(gòu)剖面由兩個(gè)重?fù)诫s去(P+和N+)及中間間隔的輕摻雜區(qū)(N-)組成。

    二極管PN結(jié)構(gòu)詳解

    如果半導(dǎo)體內(nèi)存在一個(gè)物理界面，界面兩側(cè)分別是P型半導(dǎo)體和N犁半導(dǎo)體，則在界面附近會(huì)形成一個(gè)極薄的特殊區(qū)域，稱為PN結(jié)。PN結(jié)并不是簡單的P型和N型半導(dǎo)體材料壓合在--起，它是根據(jù)“雜質(zhì)補(bǔ)償”的原理，采用合金法或平面擴(kuò)散法等半導(dǎo)體工藝制成的。雖然PN結(jié)的物理界面把材料分為P區(qū)和N區(qū)，但整個(gè)材料仍然保持完整的晶體結(jié)構(gòu)。

    當(dāng)一塊P型半導(dǎo)體與一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)，N區(qū)的電子濃度遠(yuǎn)大于P區(qū)，存在著很大的載流子濃度差。P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散，與N區(qū)的電子中和，N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散，與P區(qū)的空穴中和，界面附近，P區(qū)留下了帶負(fù)電的負(fù)離子，N區(qū)留下了帶正電的正離子，形成了空間電荷區(qū)，這個(gè)空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。由于空間電荷區(qū)內(nèi)無載流子，所以叫耗盡層。隨著PN結(jié)的形成，建立了PN結(jié)電場。這個(gè)電場稱為內(nèi)電場，向由N型區(qū)指向P型區(qū)。

    快恢復(fù)二極管PN的結(jié)構(gòu)PIN的結(jié)構(gòu)說明

    所謂PIN二極管是由重?fù)诫s的P型區(qū)和N型區(qū)之間夾一接近本征型的高電阻率I層構(gòu)成，其一般結(jié)構(gòu)，I層厚度由反向耐壓和正向電流決定，在熱平衡時(shí)的能帶圖、載流子分布、空間電荷及電場分布。

    適當(dāng)選擇續(xù)流二極管的特性，尤其是反向恢復(fù)特性，如反向恢復(fù)時(shí)間和反向恢復(fù)軟度，能夠顯著減少開關(guān)器件、二極管和其他電路元件的功耗，并減小由續(xù)流二極管引起的電壓尖峰、電磁干擾，從而盡量減少甚至去掉吸收電路。